深圳市安桐派科技有限公司

11年

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供应 SI7913DN-T1-GE3  MOSFET Dual P-Ch 20V 37mohm @ 4.5V
供应 SI7913DN-T1-GE3  MOSFET Dual P-Ch 20V 37mohm @ 4.5V
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供应 SI7913DN-T1-GE3 MOSFET Dual P-Ch 20V 37mohm @ 4.5V

型号/规格:

SI7913DN-T1-GE3

品牌/商标:

Vishay

产品信息

 制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
商标:Vishay Semiconductors
Id-连续漏极电流:5 A
Vds-漏源极击穿电压:- 20 V
Rds On-漏源导通电阻:37 mOhms
晶体管极性:P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :8 V
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.3 W
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8
封装:Reel
通道模式:Enhancement
配置:Dual
下降时间:70 ns
工作温度:- 55 C
上升时间:70 ns
工厂包装数量:3000
典型关闭延迟时间:72 ns

零件号别名:SI7913DN-GE3 

在中国电子元器件的基地,有一家专注于世界IC(集成电路),电容,二三极管,电感,电阻代理分销的公司—璞馨集团国际有限公司,主营电子元件产品被广泛的应用在平民的、工业的军事上的不同领域需求,营销网络遍布广东,辐射全国,远销德国,意大利,美国,欧美,东南亚等国家和地区。
公司创办多年以来,一直以诚信为基础,通过不断改善现代化供应管理链,增强在采购、库存、运输、售前后服务、以及资金上的能力,取得了优良的成效。
公司以“ 高质量原厂元件、合理优势价格”为经营理念,以互信互惠为宗旨,以信誉,看长远、求共同发展为目标,竭诚为新老客户提供服务。璞馨将是您可靠放心的电子元件供应商!