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深圳市安桐派科技有限公司
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供应Vishay MOSFET管 SI7913DN-T1-GE3 Dual P-Ch 20V 37mohm @ 4.5V
型号/规格：
SI7913DN-T1-GE3
品牌/商标：
Vishay
封装形式：
QFN
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
贴片式
包装方式：
卷带编带包装
功率特征：
中功率
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产品信息
制造商零件编号： SI7913DN-T1-GE3
制造商: Vishay / Siliconix
Vishay / Siliconix
说明： MOSFET Dual P-Ch 20V 37mohm @ 4.5V
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
商标: Vishay / Siliconix
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 20 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 8 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 37 mOhms
配置: Dual
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK 1212-8
封装: Reel
通道模式: Enhancement
下降时间: 70 ns
工作温度: - 55 C
上升时间: 70 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 72 ns
零件号别名: SI7913DN-GE3
制造商: Vishay / Siliconix
Vishay / Siliconix
说明： MOSFET Dual P-Ch 20V 37mohm @ 4.5V
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
商标: Vishay / Siliconix
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 20 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 8 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 37 mOhms
配置: Dual
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK 1212-8
封装: Reel
通道模式: Enhancement
下降时间: 70 ns
工作温度: - 55 C
上升时间: 70 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 72 ns
零件号别名: SI7913DN-GE3